차세대 먹거리 ‘HBM’ 공급 박차
“D램 가격의 하락세는 계속 유지될 것이다. 이런 상황에 대비하고자 D램과 낸드플래시메모리(이하 낸드)의 단점을 극복한 차세대 메모리 개발을 오래전부터 꾸준히 해왔다” ＜박성욱 SK하이닉스 사장, 최근 ‘한국전자산업대전 2015’ 현장에서＞
중국의 ‘반도체 굴기’ 본격화, D램 가격의 급락 등 대형 악재가 연이어 국내 반도체 업계를 강타한 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 업체들은 위기 극복을 위해 ‘차세대 기술 혁신’에 집중하고 있는 것으로 나타났다. 기존 D램의 한계를 뛰어넘은 차세대 메모리 반도체를 서둘러 개발, 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장을 새로운 먹거리로 삼겠다는 계획이다.
 |
| 삼성전자가 최근 공개한 ‘고대역폭 메모리’(HBMㆍHigh Bandwidth Memory) 개발 및 양산 로드맵. |
9일 반도체 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 내년 1분기부터 세계 최대의 그래픽칩 업체인 엔비디아(NVIDIA)에 차세대 그래픽프로세서(GPU) ‘파스칼’용 고대역폭 메모리(HBMㆍHigh Bandwidth Memory)를 공급할 예정이다. 두 회사는 올해 말까지 해당 제품의 시험생산과 신뢰성 테스트를 끝마치고 내년부터는 본격적인 양산체계를 구축한다는 방침이다.
▶본지 8월 26일자 기사 참고
최근 중국의 국영기업 칭화유니그룹이 미국의 낸드플래시 업체 샌디스크를 190억달러(약 21조5000억원)에 인수하고, 자국에 600억위안(약 10조7000억원)을 들여 메모리 반도체 공장을 짓기로 하는 등 ‘반도체 굴기’를 본격화하는 가운데, 한발 빠르게 새로운 수익원 창출 작업을 시작한 셈이다. 특히 두 회사의 이런 행보는 주력 제품인 D램의 가격 하락세가 장기화하는 가운데 나온 것이어서 더욱 의미가 크다.
HBM은 D램에 수백여개의 미세공(孔)을 뚫어 칩을 전기적으로 연결하는 ‘실리콘관통전극’(TSV) 기술을 사용, 여러 개의 메모리를 수직으로 쌓아올린 이른바 ‘3차원(D) 적층 반도체’다. 이렇게 하면 정보처리 속도와 저장밀도가 획기적으로 높아져 HPC를 원활하게 구현할 수 있다. 최근 중앙처리장치(CPU)의 성능이 비약적으로 높아지면서 HBM의 수요는 향후 폭증할 것으로 전망된다.
한편 삼성전자와 SK하이닉스가 개발 중인 HBM은 업계 기준 2세대 성능을 갖춘 제품으로, 지난 2013년 SK하이닉스가 업계 최초로 선보인 1세대 HBM보다 성능이 더욱 뛰어난 것으로 알려졌다. 양산 예정인 HBM의 종류는 각각 2단(2기가바이트ㆍGB), 4단(4GB), 8단(8GB) 등 3개 적층 모델이 될 전망이다.
이 외에도 삼성전자는 이미 주도권을 쥔 기존 D램 시장에서도 DDR5 규격 제품의 개발에 집중, 경쟁 업체와의 격차 벌리기에 나선다. 삼성전자는 오는 2018년 전후로 DDR5 D램의 시제품을 만든 뒤, 2019년까지 기술표준화를, 2025년까지 주요제품화(양산)를 진행할 방침인 것으로 전해졌다.
아울러 SK하이닉스는 오는 4분기까지 3세대(48단) 256Gb 3D 낸드의 개발과 시제품 양산을 마치고, 오는 2016년 2분기에는 완벽한 양산체제를 구축하겠다는 목표다. 업계 한 관계자는 “CPU, GPU에 비해 메모리 반도체의 성능이 뒤쳐지는 ‘메모리의 벽’ 현상이 가속화 하고 있다”며 “이 한계를 먼저 뛰어넘으면 국내 반도체 산업에 다시 한 번 큰 호황기가 찾아올 것”이라고 말했다.
이슬기 기자/yesyep@heraldcorp.com
